Tschechien (čeština) Englisch Deutschland (Deutsch) Österreich (Deutsch) Schweiz (Deutsch) Slowakei (slovenčina) Ungarn (magyar) Rumänien (Română) Frankreich (français) Italien (italiano) Polen (polski) Estland (eesti keel) Russland (pусский) Spanien (español) Slowenien (slovenščina) Kroatien (hrvatski) Bulgarien (български)
Sie haben keine Ware in Ihrem Warenkorb

MSCSM120AM027D3AG

MOSFET 1200V Full SiC MOS

!_prilohy_!:
Zum Vergrößern anklicken
MSCSM120AM027D3AG Microsemi / Microchip Technology
MSCSM120AM027D3AG Microsemi / Microchip Technology
Stück
ID Code:185448
Hersteller:Microsemi / Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 1 083,3529 €
Preis ohne MwSt. : 895,3330 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCSM120AM027D3AG
Zentrallager Zdice: 0 Stück
Externlager Karlsbad (Lieferzeit 5÷10 Tage): 0 Stück
Einheit:: Stück
!_prehled mnozstevnich slev_!
AnzahlPreis ohne MwSt.Preis inkl. MwSt.
1 + 895,3330 €1 083,3529 €
3 + 840,5460 €1 017,0607 €
MOSFET 1200V Full SiC Low Stray Inductance Phase Leg SiC The following are the features of
. SiC Power MOSFET
. Very Low RDS(on)
. High temperature performance
. Silicon carbide (SiC) Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature-independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Kelvin source for easy drive
. Low stray inductance
. M6 power connectors
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCSM120AM027D3AG 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SEMITRANS-3 
KategorieFull SiC (MOS) 
Art der Komponente:!_n-mosfet_! 
Konfiguration:!_half bridge_! 
Art des Materials:!_sic full_! 
Material BaseCu 
RoHSJa 
REACHJa 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:374.66 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)733 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)733 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)584 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (Rückstrom)1800 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)2970  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)3.5 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf (turn-off=fall time)67 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.06 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)2088 [nC]
Cin/CL Load Capacitance27000 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.07 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.175 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:CAS120M12BM2 
Alternative 2:SKM350MB120SCH17 
Alternative Produkte 1:MD400HFR120C2S 
Alternative Produkte 2:FF2MR12KM1 

!_souvisejici zbozi_! - MSCSM120AM027D3AG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm
ID: 176035   Hersteller-Nr.: F05-AL2-62x106mm  
Menge [Stück]1+10+
EUR/Stück1,66021,5864
Gesamtbestand: 914
Hersteller: -  
RoHS
Alle Preise verstehen sich ohne Mwst. und enthalten keine Versandkosten. Die Versandkosten werden als separater Artikel in einer Bestellung hinzufügen.

Ihre Anfrage MSCSM120AM027D3AG

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Ihre Anfrage:*
Bitte schreiben Sie code:* antispam
     Weitere Informationen

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Bitte schreiben Sie Code aus dem Bild antispam
Copyright © www.semic.ch by Shop5.cz

© www.semic.ch

Helfen Sie bei der Erbringung von Dienstleistungen uns Cookies. Mithilfe unserer Dienstleistungen Stimmen Sie unserer Verwendung von Cookies.   Weitere Informationen