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MSC040SMA120J

1200V Mosfet SiC, 53A / SOT-227

Stück
ID Code:185861
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 47,1667 €
Preis ohne MwSt. : 38,9808 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Bestellt
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSC040SMA120J
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1200V Mosfet SiC, 53A / SOT-227

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSC040SMA120J 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Art der Komponente:SiC MOSFET-BD 
Konfiguration:single 1*(T-BD) 
Spezifikationen:!_sic n-channel mosfet_! 
Konstruktion:1*FET-BD 
Art des Materials:!_sic full_! 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:42.8 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)53 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)53 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)37 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)208  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)50 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)100 [ns]
tr (Turn-on / rise time)10 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)137 [nC]
Cin/CL Load Capacitance1990 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rthjc (case)0.27 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.48 [°C/W]
Anzahl der Stifte
W - Breite 25 [mm]
L - Länge 38 [mm]
H - Höhe 12.2 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:183083 - DACMI 80N1200 (DAC) 
Alternative 2:183087 - DACMH120N1200 (DAC) 

!_souvisejici zbozi_! - MSC040SMA120J

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages SOT-227, ISOTOP and in size 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Hersteller-Nr.: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Menge [Stück]1+10+50+100+
EUR/Stück0,73680,69590,65490,5731
Gesamtbestand: 3399
Hersteller: -  
RoHS
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