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Hybrid SiC

Halbleiter - Transistoren - IGBT - Hybrid SiC
Gehäusetyp:(6)
Gehäuse:(6)
Konfiguration:(6)
Udc (URRM, UCEO, Umax)  [V] (6)
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) [A] (6)
Hersteller: Sortieren nach: Anzeigen:
DIM1200ESM33-MH00 DIM1200ESM33-MH00   Fast IGBT Module 3300V/1200A Single Fast SiC Diodes
ID: 185397   Hersteller-Nr.: DIM1200ESM33-MH00  
auf Anfrage
Hersteller: Dynex Semiconductor  
SEMiX603GB12E4SiCp SEMiX603GB12E4SiCp   IGBT 1200V Hybrid SiC
ID: 173637   Hersteller-Nr.: SEMiX603GB12E4SiCp  
auf Anfrage
Hersteller: Semikron  
SK50GH12T4T SK50GH12T4T   IGBT 1200V
ID: 177527   Hersteller-Nr.: SK50GH12T4T  
auf Anfrage
SKM200GB12F4SiC2 SKM200GB12F4SiC2   IGBT 1200V Hybrid SiC
ID: 173633   Hersteller-Nr.: SKM200GB12F4SiC2  
auf Anfrage
Hersteller: Semikron  
SKM200GB12F4SiC3 SKM200GB12F4SiC3   IGBT 1200V Hybrid SiC
ID: 185571   Hersteller-Nr.: SKM200GB12F4SiC3  
Hersteller: Semikron  
SKM200GB12T4SiC2 SKM200GB12T4SiC2   IGBT 1200V Hybrid SiC
ID: 173631   Hersteller-Nr.: SKM200GB12T4SiC2  
auf Anfrage
Hersteller: Semikron  
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