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IRF1018EPBF

Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1018EPBF Infineon Technologies
IRF1018EPBF Infineon Technologies
IRF1018EPBF Infineon Technologies
Stück
ID Code:129749
Hersteller:Infineon Technologies
Preis inkl. MwSt. : 0,6191 €
Preis ohne MwSt. : 0,5117 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: IRF1018EPBF
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungIRF1018EPBF 
KategorieFET N-Channel 
Art der Komponente:N_FET 1x single 
Konfiguration:Single 1*(T-BD) 
Konstruktion:1*FET-BD 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse:TO-220AB 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:0.09 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):50 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 60 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)79 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)79 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)56 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)110  [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)8.4 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)39 [ns]
tr (Turn-on / rise time)35 [ns]
tf (turn-off=fall time)46 [ns]
Qg (Total Gate Charge)69 [nC]
Cin/CL Load Capacitance2290 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rthjc (case)1.32 [°C/W]
Rthja (ambient)40 [°C/W]
Anzahl der Stifte
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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