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DIM1500ESM33-PR500

IGBT Module 3300V/1500A Single Low Switching Loss Device

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DIM1500ESM33-PR500 Dynex Semiconductor
DIM1500ESM33-PR500 Dynex Semiconductor
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ID Code:185399
Hersteller:Dynex Semiconductor
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Herstellerkennzeichnung: DIM1500ESM33-PR500
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IGBT Module 3300V/1500A Single Low Switching Loss Device , Gen4 DMOS

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM1500ESM33-PR500 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:MODUL - E 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:!_singl-e 3*(t+d)_! 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
Material BaseALSiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1400 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1500 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)1500 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.7 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.9 [V]
I2t (TC/TA=25°C)720 [1000*A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)15600  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)340 [ns]
tf (turn-off=fall time)540 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.001 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)25000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance260000 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.008 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.016 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:FZ1500R33HE3 
Alternative Produkte 2:CM1500HC-66R 
Alternative Produkte 3:MBN1500E33E2 

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