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DIM1200ESM33-MH00

Fast IGBT Module 3300V/1200A Single Fast SiC Diodes

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DIM1200ESM33-MH00 Dynex Semiconductor
DIM1200ESM33-MH00 Dynex Semiconductor
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ID Code:185397
Hersteller:Dynex Semiconductor
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Herstellerkennzeichnung: DIM1200ESM33-MH00
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This uses our latest technology trench IGBT, optimised for fast switching, and a SiC diode.
Some of the system-level benefits are improved efficiency, reduced volume/ size and weight. New inverter/converter topologies can also be realised with these devices. SiC devices (MOSFETs, Schottky diodes) are still expensive and hybrid Si/Sic module strikes a perfect balance between performance and cost. The SiC Schottky almost completely eliminates the reverse recovery loss. As a result the Erec loss is minuscule in hybrid module. ln addition, for applications such as PWM
inverters that have a hard switched turn-on there is also a significant reduction in turn-on losses due the dramatic reduction in free wheel diode recovery current.

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM1200ESM33-MH00 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:MODUL - E 
KategorieIGBT Hybrid SiC 
Konfiguration:!_singl-e 3*(t+d)_! 
Art des Materials:!_sic hybrid_! 
Material BaseALSiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1400 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1200 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)1200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.9 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)17900  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)360 [ns]
tf (turn-off=fall time)290 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.001 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)13000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance140000 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.007 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.03 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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