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DIM1200DDM17-PT500

IGBT 1700V / 1200A Dual

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DIM1200DDM17-PT500 Dynex Semiconductor
DIM1200DDM17-PT500 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:185065
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 852,4685 €
Preis ohne MwSt. : 704,5195 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: DIM1200DDM17-PT500
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IGBT 1700V / 1200A Dual

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM1200DDM17-PT500 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:MODUL - D 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:!_single 2*(t+d)_! 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
Material BaseALSiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1185.5 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1200 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)1200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.9 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)1.8 [V]
I2t (TC/TA=25°C)130 [1000*A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)5680  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)230 [ns]
tf (turn-off=fall time)400 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.005 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)11600 [nC]
Cin/CL Load Capacitance109000 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc (case)0.022 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.022 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.044 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:TIM1200DDM17-TSA000 
Alternative 2:FF1200R17KP4_B2 
Alternative 3:CM1200DC-34N 
Alternative Produkte 1:2MBI1200VT-170E 
Alternative Produkte 2:MBM1200E17D 
Alternative Produkte 3:GD1200SGL170C3S 

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