IGBT 4500V /1200A Single, AlSiC
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | DIM1200ASM45-TF000 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | single-E3*(T+D) |
Konstruktion: | 3*IGBT+3*D |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 3 ks |
Art des Materials: | AlSiC Base |
Material: Gehäuse | Si-Silicon |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
Gehäusetyp: | MODUL |
Gehäuse: | MODUL - A |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 2010.2 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 2 |
Elektrophysikalische Parameter:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 4500 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 1200 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 1200 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 7400 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.8 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 3.5 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 460 [1000*A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 12500 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
tr (Turn-on / rise time) | 290 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 400 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 17000 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 150000 pF |
Thermische und mechanische Parameter:
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 0.008 [°C/W] |
W - Breite | 140 [mm] |
L - Länge | 190 [mm] |
H - Höhe | 48 [mm] |
Rozměry/Velikost (LxWxH) | 190x140x48 [mm] |
Alternativen und Ersätze
Alternative Produkte 1: | CM1200HC-90R |