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DIM 125PHM33-TS000

SPT IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, low switching loss

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DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor
DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:185401
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 494,9817 €
Preis ohne MwSt. : 409,0758 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: DIM125PHM33-TS000
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IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, Chip technology Soft Punch Through Silicon and high current density enhanced DMOS.

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM125PHM33-TS000 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:MODUL - P 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:!_half bridge_! 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
Material BaseALSiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:500 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)125 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)125 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.5 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
I2t (TC/TA=25°C)[1000*A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1300  [W]
Esw (125°C)1200 [mJ]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)520 [ns]
tf (turn-off=fall time)610 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.001 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)2500 [nC]
Cin/CL Load Capacitance22500 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc (case)0.096 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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