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DAMI560N100

N-channel MOSFET 100V / 560A

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DAMI560N100 Daco Semiconductor
DAMI560N100 Daco Semiconductor
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ID Code:185431
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N-channel MOSFET 100V / 560A

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDAMI560N100 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SOT-227 
KategorieFET N-Channel 
Art der Komponente:!_n-mosfet_! 
Konfiguration:single Transistor 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:30 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 100 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)560 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)560 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)445 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)0.9 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)890  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)1.1 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)380 [ns]
tr (Turn-on / rise time)260 [ns]
tf (turn-off=fall time)76 [ns]
Qg (Total Gate Charge)449 [nC]
Cin/CL Load Capacitance62520 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-50 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc (case)0.1 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:IXFN420N10T 
Alternative 2:DAMI500N60 
Alternative Produkte 1:IXFN420N10T 
Alternative Produkte 2:IXFN520N075T2 

!_souvisejici zbozi_! - DAMI560N100

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages SOT-227, ISOTOP and in size 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Hersteller-Nr.: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Menge [Stück]1+10+
EUR/Stück0,66410,6272
Gesamtbestand: 2740
Hersteller: -  
RoHS
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