Full SiC MOSFET 1200V / 25A Half Bridge
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | DACMH40N1200 |
Gehäusetyp: | MODUL |
Gehäuse: | SEMITRANS-2s |
Kategorie | Full SiC (MOS) |
Art der Komponente: | !_n-mosfet_! |
Konfiguration: | !_half bridge_! |
Art des Materials: | !_sic full_! |
Material Base | Cu+AL2O3 |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 200 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 12 |
Elektrophysikalische Parameter:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 40 [A] |
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 40 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 25 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 3000 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 208 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 80 [mΩ] |
tr (Turn-on / rise time) | 24 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 9 [ns] |
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.) | 0.08 [MHz] |
Qg (Total Gate Charge) | 129 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 1800 pF |
Thermische und mechanische Parameter:
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -50 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.26 [°C/W] |
Abmessungen der Anschlüsse | 0.00 [mm] |