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APT51M50J

Trans MOSFET N-CH Si 500V 51A 4-Pin SOT-227 Tube

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APT51M50J Microchip Technology
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APT51M50J Microchip Technology
Stück
ID Code:188793
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 40,8458 €
Preis ohne MwSt. : 33,7569 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: APT51M50J
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungAPT51M50J 
Art der Komponente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfiguration:Single 1*(T-BD) 
Spezifikationen:!_enhancement mode_! 
Konstruktion:1*FET-BD 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:36 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 500 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)51 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)51 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)480  [W]
Input Logic Level (Ugs level)30V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)75 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)695 [ns]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf (turn-off=fall time)39 [ns]
Qg (Total Gate Charge)290 [nC]
Cin/CL Load Capacitance11600 pF

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc (case)0.26 [°C/W]
RM - Anschlussraster15 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 12.7 [mm]
Anzahl der Stifte
D - Ø (Außendurchmesser)4.1 [mm]
W - Breite 25.3 [mm]
L - Länge 38.1 [mm]
H - Höhe 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

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