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DACMI200N1200

Single Full SiC MOSFET 1200V / 125A

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DACMI200N1200 Daco Semiconductor
DACMI200N1200 Daco Semiconductor
Stück
ID Code:182142
Hersteller:Daco Semiconductor
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MwSt.:21 %
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Single Full SiC MOSFET 1200V / 125A

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDACMI200N1200 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SOT-227 
KategorieFull SiC 
Art der Komponente:!_n-mosfet_! 
Konfiguration:!_single 1*(t+d)_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)200 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)200 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)125 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)6.5 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)980  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)15 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)220 [ns]
tr (Turn-on / rise time)32 [ns]
tf (turn-off=fall time)32 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.06 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)382 [nC]
Cin/CL Load Capacitance7500 pF

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_sic full_! 
Material BaseCu+AL2O3 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-50 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc (case)0.13 [°C/W]

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:35 [g]
VPE-Karton:12 

!_souvisejici zbozi_! - DACMI200N1200

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages SOT-227, ISOTOP and in size 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Hersteller-Nr.: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Menge [Stück]1+10+
EUR/Stück0,69920,6603
Gesamtbestand: 1348
Hersteller: -  
RoHS
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