NPN-Bipolartransistor
ID Code: | 130306 |
Hersteller: | ST Microelectronics |
Preis inkl. MwSt. : | 0,1607 € |
Preis ohne MwSt. : | 0,1328 € |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | BD139-10 |
Zentrallager Zdice: | 0 Stück |
Externlager (Lieferzeit 5÷10 Tage): | 0 Stück |
Einheit:: | Stück |
!_prehled mnozstevnich slev_! | Anzahl | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. |
1 + | 0,1328 € | 0,1607 € |
25 + | 0,1291 € | 0,1562 € |
50 + | 0,1254 € | 0,1518 € |
150 + | 0,0996 € | 0,1205 € |
Herstellerkennzeichnung | BD139-10 |
Gehäusetyp: | THT |
Gehäuse: | TO-126 |
Kategorie | Bipolar NPN |
Art der Komponente: | THT |
Konfiguration: | single Transistor |
Art des Materials: | !_si-silicon_! |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 2.1 [g] |
Verpackungstyp: | BULK |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 50 |
Große Verpackung (BOX): | 0 |
Palette (Anzahl der Einheiten): | 0 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 80 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 1.5 [A] |
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 1.5 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 12.5 [W] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 1.25 [W] |
gain - hFE | 63÷160 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -65 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 10 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 100 [°C/W] |
Anzahl der Stifte | 3 |
Abmessungen der Anschlüsse | 0.00 [mm] |