APTGTQ200A65T3G
IGBT 650V
| ID Code: | 185776 |
| Hersteller: | Microsemi / Microchip Technology |
| Preis inkl. MwSt. : | 113,3440 € |
| Preis ohne MwSt. : | 93,6728 € |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | APTGTQ200A65T3G |
| Zentrallager Zdice: | 0 Stück |
| Externlager Karlsbad (Lieferzeit 5÷10 Tage): | 0 Stück |
| Einheit:: | Stück |
| !_prehled mnozstevnich slev_! | Anzahl | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. |
| 1 + | 93,6728 € | 113,3440 € |
| 3 + | 91,3485 € | 110,5316 € |
IGBT 650V Half-Bridge • High speed IGBT 5 up 100kHz
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | APTGTQ200A65T3G |
| Gehäusetyp: | MODUL |
| Gehäuse: | !_modul-sp3f_! |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfiguration: | !_half bridge_! |
| Art des Materials: | !_si-silicon_! |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 110 [g] |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 10 |
Elektrophysikalische Parameter:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 650 [V] |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 200 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 200 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 120 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.2 [V] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 483 [W] |
| Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
| trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 46 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 15 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 18 [ns] |
| Ft (transition/operation frequency) (@Inom.) | 0.1 [MHz] |
| Qg (Total Gate Charge) | 480 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 12000 pF |
Thermische und mechanische Parameter:
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 175 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.31 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.35 [°C/W] |
| Abmessungen der Anschlüsse | 0.00 [mm] |
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