IGBT Chip N-CH 600V 107A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | APT50GN60BDQ2G |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | single 1*(T+D) |
Konstruktion: | 1*IGBT+1*D |
Art des Materials: | !_si-silicon_! |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
Gehäusetyp: | THT |
Gehäuse: | !_to-247ad_3_! |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 6.1 [g] |
Verpackungstyp: | TUBE |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 30 |
Elektrophysikalische Parameter:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 600 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 107 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 64 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.45 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 366 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 22 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 25 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 100 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 325 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 3200 pF |
Thermische und mechanische Parameter:
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -55 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.41 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.67 [°C/W] |
RM - Anschlussraster | 5.45 [mm] |
Anzahl der Stifte | 3 |
D - Ø (Außendurchmesser) | 3.65 [mm] |
W - Breite | 16 [mm] |
L - Länge | 21 [mm] |
H - Höhe | 5 [mm] |
Rozměry/Velikost (LxWxH) | TO-247 [mm] |
Abmessungen der Anschlüsse | 1,4 [mm] |
Lv - Anschlusslänge | 19.8 [mm] |
Alternativen und Ersätze
Alternative Produkte 1: | IXXH75N60B3D1 |
Alternative Produkte 2: | IXXH50N60B3D1 |